PECVD

-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

n用途介绍　

　　是生产太阳能发电用硅基电池片时，对经过制绒和扩散后的硅片表面，在采用等离子体增强型化学气相沉积法进行氮化硅镀膜时，提供导电及承载硅片的石墨（或CFC）载体。

n用途要求　

　　PECVD的工艺温度一般为300℃ ～ 500 ℃左右，气压为0.1mbar左右，要求石墨件导热、导电性良好，具有较高的致密性，要求CFC件的强度和硬度高，高温抗变形性能强。 

nTOYO对应产品