MOCVD

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n用途介绍

　（金属有机化合物化学气相沉淀)简称，是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。承载衬底的石墨基座需要表面气相沉积碳化硅即"PERMA-KOTE"

n用途要求

　　MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压(10-100Torr)下,用射频、热辐射、感应等方式加热石墨基座(衬底基片在石墨基座上方),衬底温度为500-1200℃，H2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区，进行气相沉积，要求石墨基座具有优良耐热性、导热性及耐氨气腐蚀性。"PERMA-KOTE"石墨基座已经被广泛的使用在MOVD设备中，"PERMA-KOTE"是指采用东洋炭素专有的化学气相沉积（CVD)工艺在高度纯化的各项同性石墨的表面沉积碳化硅薄膜的产品。

nTOYO对应产品