CZ热场
用途介绍
在太阳能电池及半导体器件用途,将多晶硅料经过加热熔化,通过直拉法(CZ)进行单晶硅棒的生产。CZ热场提供加热,保温及承载及导流等。
用途要求
氩气或真空环境中,通过石墨加热器发热至1600℃左右,对石墨坩埚内的多晶原料加热,熔化成液体,通过控制液面温度,提拉籽晶,最终长成单晶棒。
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MOCVD
用途介绍
(金属有机化合物化学气相沉淀)简称,是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料,以热分解反应方式在衬底上进行气相外延,生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。承载衬底的石墨基座需要表面气相沉积碳化硅即"PERMA-KOTE"
用途要求
MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压(10-100Torr)下,用射频、热辐射、感应等方式加热石墨基座(衬底基片在石墨基座上方),衬底温度为500-1200℃,H2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区,进行气相沉积,要求石墨基座具有优良耐热性、导热性及耐氨气腐蚀性。"PERMA-KOTE"石墨基座已经被广泛的使用在MOVD设备中,"PERMA-KOTE"是指采用东洋炭素专有的化学气相沉积(CVD)工艺在高度纯化的各项同性石墨的表面沉积碳化硅薄膜的产品。
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PECVD
用途介绍
是生产太阳能发电用硅基电池片时,对经过制绒和扩散后的硅片表面,在采用等离子体增强型化学气相沉积法进行氮化硅镀膜时,提供导电及承载硅片的石墨(或CFC)载体。
用途要求
PECVD的工艺温度一般为300℃ ~ 500 ℃左右,气压为0.1mbar左右,要求石墨件导热、导电性良好,具有较高的致密性,要求CFC件的强度和硬度高,高温抗变形性能强。
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离子注入
用途介绍
离子注入是将某种元素电离成离子,并使其在电场中加速,获得一定能量后注入固体材料表面内一定深度,以改变材料的物理、化学特性的一种技术。在离子的发生、偏转及接收位置,都需要相应的石墨部件。
用途要求
要求石墨产品具有高纯度以避免污染,高硬度、高强度、高密度等以减少自身颗粒的析出。
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电子封装治具
用途介绍
“治具”这个词是由英文“jig”的日文谐音字じぐ的汉字直接翻过来, 主要是作为协助控制位置或动作(或两者)的一种工具, 是生产线上的一种辅助生产设备。电子封装就是安装集成电路内置芯片外用的管壳,起着安放固定密封,保护集成电路内置芯片,增强环境适应的能力,并且集成电路芯片上的铆点也就是接点,是焊接到封装管壳的引脚上的。
用途要求
治具特点是: 结构简单, 应用广泛, 种类繁多, 可以是一块铁片, 也可以是一台设备。比如, 磨床用挡块, 可以叫它治具; 比如, Hi-pot测试机, 可以叫它治具。电子行业的夹治具, 大致有压入﹑折弯﹑切断﹑铆合﹑熔接﹑测试﹑固定等分类, 当然,也可以分为普通和特殊两类, 看个人喜好或等专业书记去整理规定了。基本上, 除了电测和熔接, 一般工厂都有自己的设计部门或干脆自己制作。可以断言, 有电子厂的地方, 就会有夹治具; 没有电子厂的地方, 夹治具也比比皆是。
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光纤
用途介绍
光纤用途是为光纤及光棒制备提供高温用石墨热场部件。
光纤预制棒制造及拉丝过程中,高纯度的石墨部件及断热材料。
光纤预制棒制纵延法、CVD法制造用石墨加热器、装夹机构及其他部件。
光纤拉丝制程用石墨加热器、发热体、中心管、马弗管等部件。
光纤拉丝炉用高纯保温炭毡;包括软炭毡及固化炭毡。
用途要求
先在高温下做成预制棒,然后在高温炉中加温软化,拉成长丝,再进行涂覆、套塑,成为光纤芯线。
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